| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征为:具有在半导体基板上形成闸氧化膜的工程,及在上述闸氧化膜上形成聚矽膜的工程,及在上述聚矽膜上,形成具有开孔部之掩蔽层的工程,及将该掩蔽层作为掩蔽,通过上述聚矽膜及上述闸氧化膜而在上述半导体基板中施以第1离子注入的工程,及将上述掩蔽层作为掩蔽,在上述聚矽膜中施以第2离子注入的工程。2.一种半导体装置之制造方法,其特征为:具有在半导体基板上形成闸氧化膜的工程,及在上述闸氧化膜上形成聚矽膜的工程,及蚀刻上述聚矽膜而形成闸电极的工程,及在上述闸电极及上述闸氧化膜上,形成具有开孔部之掩蔽层的工程,及将该掩蔽层作为掩蔽,通过上述闸电极及上述闸氧化膜,在上述半导体基板中施以第1离子注入的工程,及将上述掩蔽层作为掩蔽,通过上述闸电极中,及上述闸氧化膜,在上述半导体基板中施以第2离子注入的工程。3.一种半导体装置之制造方法,其特征为:具有在具有第1及第2领域的半导体基板上形成闸氧化膜的工程,及在上述闸氧化膜上形成聚矽膜的工程,及在上述第2领域形成具有开孔部之第1光阻膜的工程,及将上述第1光阻膜作为掩蔽,通过上述第2领域上之上述聚矽膜及上述闸氧化膜,在上述半导体基板施以第1离子注入的工程,及将上述第1光阻膜作为掩蔽,在上述第2领域上之上述聚矽膜中施以第2离子注入的工程,及除去上述第1光阻膜的工程,及在上述第1领域上形成具有开孔部之第2光阻膜的工程,及将该第2光阻膜作为掩蔽,通过上述第1领域上之上述聚矽膜及上述闸氧化膜,在上述半导体基板中施以第3离子注入的工程,及将该第2光阻膜作为掩蔽,在上述第1领域上之上述聚矽膜中施以第4离子注入的工程。4.一种半导体装置之制造方法,其特征为:具有在具有第1及第2领域的半导体基板上形成闸氧化膜的工程,及在上述闸氧化膜上形成聚矽膜的工程,及蚀刻上述聚矽膜而形成闸电极的工程,及在上述半导体基板上之第2领域形成具有开孔部之第1光阻膜的工程,及将该第1光阻膜作为掩蔽,通过上述第2领域上之上述闸电极及上述闸氧化膜,在上述半导体基板中施以第1离子注入的工程,及将上述第1光阻膜作为掩蔽,通过上述第2领域上之上述闸电极中,及上述闸氧化膜,在上述半导体基板中施以第2离子注入的工程,及除去上述第1光阻膜的工程,及在上述第1领域上形成具有开孔部之第2光阻膜的工程,及将该第2光阻膜作为掩蔽,通过上述第1领域上之上述闸电极及上述闸氧化膜,在上述半导体基板施以第3离子注入的工程,及将上述第2光阻膜作为掩蔽,通过上述第1领域上之上述聚矽膜中,及上述闸氧化膜,在上述半导体基板中施以第4离子注入的工程。图式简单说明:第一图(a)至第一图(l)系表示本发明之实施例的图式。第二图(a)至第二图(j)系表示用于说明本发明之其他实施例所用的图式。第三图(a)至第三图(k)系表示用于说明以往技术所用的图式。 |
