| 主权项 |
1.一种电气装置,该电气装置包含一电气组件(1),该电气组件(1)由隔离装置(9)与一导电区(7)隔离,其中电气连接到该电气组件(1)之一导体(13)自该导电区(7)延伸到该电气组件(1)上的一接点(18),该电气装置之特征在于:该导体(13)系电气连接到一个在该导电区(7)与该电气组件(1)间之一中间导电区域(15),其中系由隔离装置(16)将该中间导电区域(15)与该导电区(7)及该电气组件(1)隔离。2.如申请专利范围第1项之电气装置,其中该电气组件是一半导体组件(1)。3.如申请专利范围第1项之电气装置,其中该电气组件(1)包含在一埋入绝缘体(3)上的一半导体层(1),而该埋入绝缘体(3)系形成在一半导体基底(5)上。4.如申请专利范围第1项之电气装置,其中该中间导电区域(15)包含在一埋入绝缘体(3)上的一半导体材料层(15),而该埋入绝缘体(3)系形成在一半导体基底(5)上。5.如申请专利范围第1项之电气装置,其中该隔离装置(16)包含一隔离沟槽(16)。6.如申请专利范围第5项之电气装置,其中该隔离沟槽(16)包含掺杂或非掺杂的非晶或复晶矽、二氧化矽及(或)氮化矽、及(或)任何其他的绝缘材料。7.如申请专利范围第6项之电气装置,其中该半导体材料(1)是矽。8.如申请专利范围第1或4项之电气装置,其中该中间导电区域(15)并不包含诸如电晶体或二极体等任何主动装置。9.如申请专利范围第1或4项之电气装置,其中该中间导电区域(15)的表面面积小于该电气组件(1)的表面面积之一半。10.如申请专利范围第1或4项之电气装置,其中该中间导电区域(15)的表面面积小于该电气组件(1)的表面面积的十分之一。11.如申请专利范围第1或4项之电气装置,其中该中间导电区域(15)只与导体(13)有电气接触。12.如申请专利范围第1或4项之电气装置,其中该中间导电区域(15)与复数个导体(13)有电气接触。13.如申请专利范围第12项之电气装置,其中该等复数个导体(13)都有实质相同之电位。14.一种减少一电气组件(1)中电场强度集中之方法,其中隔离装置(9)将该电气组件(1)与一导电区(7)隔离,且一导体(13)自该导电区(7)延伸到该电气组件(1)上的一接点(18),该方法之特征在于下列各步骤:在该导电区(7)与该电气组件(1)之间形成一中间导电区域(15);在该中间导电区域(15)与该导电区(7)之间以及在该中间导电区域(15)与该电气组件(1)之间形成隔离装置(16);以及将该中间导电区域(15)电气连接到该导体(13)。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该电气组件是一半导体组件(1)。16.如申请专利范围第14或15项之方法,其中该电气组件(1)包含在一埋入绝缘体(3)上的一半导体层(1),而该埋入绝缘体(3)系形成在一半导体基底(5)上。17.如申请专利范围第14项之方法,其中该中间导电区域(15)系形成为一埋入绝缘体(3)上的一半导体材料层(15),而该埋入绝缘体(3)系在一半导体基底(5)上。18.如申请专利范围第14项之方法,其中该隔离装置(16)制造成一隔离沟槽(16)。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该隔离沟槽(16)包含掺杂或非掺杂的非晶或复晶矽、二氧化矽及(或)氮化矽、及(或)任何其他的绝缘材料。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该半导体材料(1)是矽。21.如申请专利范围第14或17项之方法,其中该中间导电区域(15)并不包含诸如电晶体或二极体等任何主动装置。22.如申请专利范围第14或17项之方法,其中该中间导电区域(15)的表面面积小于该电气组件(1)的表面面积之一半。23.如申请专利范围第14或17项之方法,其中该中间导电区域(15)的表面面积小于该电气组件(1)的表面面积的十分之一。24.如申请专利范围第14或17项之方法,其中该中间导电区域(15)形成时只与导体(13)有电气接触。25.如申请专利范围第14或17项中任一项之方法,其中该中间导电区域(15)形成时与一个以上的导体(13)有电气接触。26.如申请专利范围第25项之方法,其中该等复数个导体(13)形成时系连接到实质相同之电位。图式简单说明:第一图A示出沿着第一图B所示组件的I-I线之一断面;第一图B是一习用技术组件中各同电位区域之平视图;第二图A示出沿着第二图B所示组件的II-II线之一断面;第二图B是根据本发明而构建的一组件中各同电位区域之平视图。 |
