| 发明名称 |
Process for forming a passivated p-n junction in mesa semiconductor structure |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
HK1008450(A1) |
申请公布日期 |
1999.05.07 |
| 申请号 |
HK19980109059 |
申请日期 |
1998.07.10 |
| 申请人 |
GENERAL INSTRUMENT CORPORATION. |
发明人 |
WILLEM G. EINTHOVEN;LINDA J. DOWN |
| 分类号 |
H01L21/22;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/861;H01L29/866;(IPC1-7):H01L |
主分类号 |
H01L21/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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