| 发明名称 | 改进的反向平行限定式旋转阀型传感器 | ||
| 摘要 | 具有NiO/Ni－Fe/Co/Ru/Co/Cu/Ni－Fe/顶盖层之结构的AP限定式SV型传感器,其中限定层包括第一和第二铁磁性层,由反向平行耦合层隔开。第一磁性限定层还包括Ni－Fe的第一限定次层和Co的第二限定次层,其中Ni－Fe的第一限定次层形成在并直接接触NiO反铁磁性(AFM)层。Ni－Fe的第一限定次层将Co的第二限定次层与NiO AFM层相隔离,使限定磁场和层叠的AP限定层的磁矩控制都大为改进。 | ||
| 申请公布号 | CN1215880A | 申请公布日期 | 1999.05.05 |
| 申请号 | CN98123470.4 | 申请日期 | 1998.10.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 穆斯塔法·皮纳巴西 |
| 分类号 | G11B5/39 | 主分类号 | G11B5/39 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1 一种旋转阀型磁阻传感器，包括：自由铁磁层；反向平行(AP)连接层包括：反铁磁性耦合层；由所述以反铁磁性方式耦合层使之彼此分开的第一和第二铁磁性层，所述第一铁磁性层还包括第一和第二铁磁性次层；反铁磁性(AFM)层，与所述第一铁磁性次层相接触，用于限定所述第一铁磁性层的磁化强度；以及隔层，设置在所述自由铁磁性层和所述AP限定层之间。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||