在非易失性半导体存储器件中擦除数据的方法

摘要

在本发明的数据擦除操作中,一个漏极端子断开。大约－10V的负电压与大约5V的正电压分别加到控制栅与源极端子。大约1－2V的电压加给P阱端子与N阱端子。地电位被提供给基片。低于源极端子电压而高于基片电压(接地电压)的电压被提供给源极扩散层与基片之间的P阱与N阱。因此,在源极与浮栅之间产生了电场,通过F－N隧道效应实现了擦除操作。

主权项

1．在非易失性半导体存储器件中擦除数据的方法，该器件具有在第一传导型半导体基片上的第二传导型源极区域与第二传导型漏极区域，在源极区域与漏极区域之间的第一传导型半导体基片上通过第一绝缘膜有浮栅，在浮栅上通过第二绝缘膜有控制栅，所述方法包括如下步骤：提供一个极性与地电位的极性相同的预定电位给源极区域；提供一个极性与地电位的极性相反的高电位给控制栅；提供一个极性与预定电位相同的地电位与预定电位之间的中间电位给第一传导型半导体基片。