| 摘要 |
一种饱和电抗器的磁芯,由Fe基软磁合金制成,该合金的基本合金元素包括Fe、Cu和M,M选自Nb,W,Ta,Zr,Hf,Ti和Mo中的至少一种,合金的至少50%的面积比为平均粒径100nm以下的细晶粒。磁芯控制磁化特性为:0.12T以下剩余有效磁通密度△Bb;2.0T以上总控制有效磁通密度△Br;和0.10—0.20T/(A/m)的总控制增益Gr,Gr=0.8×(△Br－△Bb)/Hr,Hr是对应于0.8×(△Br－△Bb)+△Bb的总控制磁化力。 |
| 主权项 |
1．一种用于饱和电抗器中的磁芯，其由Fe基软磁合金制成，该合金的基本合金元素包括Fe、Cu和M,其中M是选自由Nb,W,Ta,Zr,Hf,Ti和Mo组成的组中的至少一种元素，并且合金结构面积比的至少50％为具有平均粒径100nm或以下的精细结晶颗粒，在磁芯温度为25℃下使用具有0.5占空比的50kHz单极矩形电压进行测量时，所述磁芯具有的控制磁化特性为：0.12T或以下的剩余有效磁通密度ΔBb；2.0T或以上的总控制有效磁通密度ΔBr；和0.10-0.20T/(A/m)的总控制增益Gr，其是通过以下等式所计算的：Gr=0.8×(ΔBr-ΔBb)/Hr其中Hr是总控制磁化力，其定义为对应于0.8×(ΔBr-ΔBb)+ΔBb的控制磁化力。 |
