| 发明名称 | 制造半导体器件的化学汽相淀积装置及其驱动方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供制造半导体器件的化学汽相淀积(CVD)装置,包括:处理室;为处理室供应处理气体的处理气体供应管线;废气排放管,用于在处理后将处理室内的废气排放出去清洗气体供应管线,用于向处理室内供应ClF<SUB>3</SUB>气体;取样歧管,用于利用压力差从处理室内提取气体样品;及QGA－QMS,用于分析取样气样,并利用上述RGA－QMS通过分析,根据处理室内的气体流量、压力和温度优化结束点。 | ||
| 申请公布号 | CN1215764A | 申请公布日期 | 1999.05.05 |
| 申请号 | CN98102756.3 | 申请日期 | 1998.07.01 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 崔百洵;安重镒;金镇成;金重起 |
| 分类号 | C23C16/00 | 主分类号 | C23C16/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜 |
| 主权项 | 1．一种制造半导体器件的化学汽相淀积(CVD)装置，包括：在其中进行制造半导体器件的淀积处理的处理室；为处理室供应处理气体的多个处理气体供应管线；废气排放管线，用于在处理后借助泵抽装置将处理室内的废气排放出去；清洗气体供应管线，用于向处理室内供应清洗气体；与处理室相连的取样歧管，用于借助压差从处理室取出气样；及气体分析仪，用于分析从取样歧管取出的气样。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||