具有阻挡层的断路闸流管

摘要

具有单阳极发射极和阻挡层的GTO在边缘连接区域含有一装置,其使阻挡层与阳极短接。以此GTO在截止状态下在边缘区域表现为二极管结构,并且去掉了截止电流的放大。边缘区域的热负载被降低,并且在上述电压的情况下该器件可以承受较高的工作温度。

主权项

1．断路闸流管(GTO)，含有a)在半导体(1)中的具有阴极发射极区域(2)、p-基极(3)、n+基极(4)和单阳极发射极(5)的npnp四层结构，b)一个作为n-基极(4)掺杂的阻挡层(6)的放大器，其设置在n-基极(4)和阳极发射极(5)之间，c)一个边缘连接区域(7)，其不含有阴极发射极区域并且是特别倾斜的，d)一个阴极(8)，其与阴极发射极区域(2)接触，一个阳极(9)，其与一个阳极发射极(5)接触和一个栅极(10)，其与p-基极(3)接触，其特征在于，e)在边缘连接区域(7)含有一装置，其使阻挡层(6)与阳极(5)相连。