| 主权项 |
1.一种预成型供磨光用的半导体基板之方法,包括以下步骤:提供一具有第一主要表面(21)以及面对第一主要表面之第二主要表面(22)之半导体基板(20);且成型该半导体基板,以便该第一主要表面(21)及第二主要表面(22)之一者在磨光该半导体基板之前有一凹型。2.一种准备供磨光用半导体晶圆成型之方法,包括以下步骤:将一具有第一主要表面(21)及面对第一主要表面之第二主要表面(22)之半导体晶圆(20)放置入蚀刻溶液(32)中;且在蚀刻溶液(32)中蚀刻该半导体晶圆(20),以便该第一主要表面(21)及该第二主要表面(22)有一凹型。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中将半导体晶圆(20)放置在蚀刻溶液(32)中之步骤,包括将半导体基板(20)放置在包含约41%氮,约18%氟氢,约33%醋酸及约8%水之蚀刻溶液(32)中。4.一种预成型供后续磨光用的基板之方法,包括以下步骤:提供一有边缘部份(24)及中心部份(23)之一基板(20);并且成型一边缘部份(24)较中心部份(23)为厚之基板(20),其中基板(24)之厚度从边缘部份(24)到中心部份(23)逐渐变薄。5.一种半导体基板构造,包括一有边缘部份(24),一中心部份(23),一第一主要表面(21),以及一面对第一主要表面之第二主要表面(22)之半导体基板(20),其中第一主要表面(21)及第二主要表面(22)中之一者有一凹型。图式简单说明:第一图图示一先前技术半导体基板的放大的横断面;第二图图示根据本发明之半导体基板的放大的横断面;并且第三图图示一将第二图的半导体基板成形装置的概要图。 |
