| 主权项 |
1.一种用于场效电晶体之自行对齐矽化物程序,包 含:a. 提供第一导电性型式之矽基质;b.沈积一层之多晶 矽;c. 在该多晶层之表面上形成一层矽氧化物;d.将离子 植入该 多晶矽层内,以造成其具有相对于第一导电性型式 之第二 导电性型式;e.沈积一层矽氮化物;f.向下蚀刻该层 之矽 氮化物,矽氧化物、及多晶矽至该矽基质之深度, 除了已 被微影地保护之区域,以界定一基座;g.将离子植入 该矽 基质内及该矽氮化物层内,至相当浅之深度,以于 恰在矽 基质之表面下制造导电性比该第二导电性层弱之 层;h.在 该基座之垂直表面形成一层矽氧化物;i.将离子植 入该矽 基质内及该矽氮化物层内,至相当大但是小于矽氮 化物层 之厚度之深度,以在矽基质之表面下制造导电性比 该第二 导电性层强之层;j.去除该矽氮化物层,包括植入其 中之 所有物质;k.沈积一层之耐火金属;l.该矽基质与基 座接 受第一快速热退火;m.去除该耐火金属层尚未转化 成矽化 物之部份;及n.该矽基质与基座接受第二快速热退 火。2.根据申请专利范围第1项之程序,其中该第一 导电性型 式为N型,且该第二导电性为P型。3.根据申请专利 范围第1项之程序,其中多矽层之厚度为3 ,000至5,000A单位。4.根据申请专利范围第1项之程序 ,其中该矽氧化物层之 厚度为150至250A单位。5.根据申请专利范围第1项之 程序,其中矽氮化物层之厚 度为600至1,500A单位。6.根据申请专利范围第1项之 程序,其中该耐火金属取自 包括钛、钴、与钼之群组。7.根据申请专利范围 第1项之程序,其中该耐火金属层之 厚度为500至700A单位。8.根据申请专利范围第1项之 程序,其中该第一快速热退 火包含在630至720℃之温度加热20至60秒。9.根据申 请专利范围第1项之程序,其中该该第二快速热 退火包含在800至900℃之温度加热10至30秒。10.根据 申请专利范围第1项之程序,其中该基座之垂直表 面上之矽氧化物层经化学蒸气沈积而沈积至2,000 至3, 000A单位之厚度。11.一种用于电场效应电晶体之自 行对齐矽化物程序,包 含:a.提供第一导电性型式之矽基质;b.形成一层闸 极电 极然后沈积一层之多晶矽;c.将离子植入该多晶矽 层内, 以造成其具有相对于第一导电性型式之第二导电 性型式; d.在该多表面形成一层之矽氧化物;e.向下蚀刻该 矽氧化 物与多晶矽层至该矽基质之深度,除了已被微影地 保护之 区域,以界定基座;f.将离子植入该矽基质内及该矽 氧化 物层内,至相当浅之深度,以于恰在矽基质之表面 下制造 导电性比该第二导电性层弱之层;g.在该基座之垂 直表面 形成一层矽氮化物;h.将离子植入该矽基质内及该 矽氧化 物层内,至相当大但是小于矽氧化物层之厚度之深 度,以 在矽基质之表面下制造导电性比该第二导电性层 强之层; i.去除该矽氧化物层,包括植入其中之所有物质;j. 沈积 一层之耐火金属;k.该矽基质与基座接受第一快速 热退火 ;l.去除该耐火金属层尚未转化成矽化物之部份;及 m.该 矽基质与基座接受第二快速热退火。图式简单说 明:第一 图以横切面显示矽基质上之多晶矽、矽氧化物、 与矽氮化 物之沈积层。第二图显示由第一图之结构形成之 基座。第 三图与第四图显示源极与汲极区域之形成。第五 图与第六 图描述矽化物层之形成。 |
