发明名称 NOX SENSITIVE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD AND THE SENSOR
摘要
申请公布号 KR167852(B1) 申请公布日期 1999.05.01
申请号 KR19960038869 申请日期 1996.09.09
申请人 KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH 发明人 HAN, SANG-DO;LEE, DAE-SIK;MYUNG, KWANG-SIK;PARK, KI-BAE;SON, YONG-MOOK
分类号 G01N27/62;(IPC1-7):G01N27/62 主分类号 G01N27/62
代理机构 代理人
主权项
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