| 主权项 |
1.一种MOS型固态摄影装置,系为针对具有所配列的多数个单位格,及选择单位格的手段,及被连接在前述选择手段与各行的单位格之间的选择线,及供给各列的单位格的输出之垂直信号线等之MOS型固态摄影装置;其特征为:前述单位格,进而具备光电转换部;及具有供给前述光电转换部的输出之闸极,及被连接在前述垂直信号线之源极,及被连接在前述选择线之吸极之增幅电晶体;及被插入至前述增幅电晶体的闸极与前述选择线之间的位址电容;及与前述位址电容并联连接的重设电晶体。2.如申请专利范围第1项之MOS型固态摄影装置,其中进而具备被连接在前述光电转换部与前述增幅电晶体的闸极之间的转送闸极电路。3.如申请专利范围第1项之MOS型固态摄影装置,其中进而具备补偿多数个单位格的增幅电晶体之增幅特性不均衡之手段。4.如申请专利范围第3项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备从前述单位格的输出只减算杂音成分之杂讯滤波器。5.如申请专利范围第3项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备从表示前述单位格的输出之电荷减算只表示杂音成分之电荷的杂讯滤波器。6.如申请专利范围第3项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备供给前述单位格的输出信号之跟随电路;及介由样本保持电晶体,箝位容量而供给源极跟随电路的输出信号之样本保持电容;及被连接在样本保持容量与箝位容量容的连接点,ONOFF连接点之样本保持电晶体。7.如申请专利范围第6项之MOS型固态摄影装置,其中前述样本保持电容与箝位容量系为被薄膜沈积。8.如申请专利范围第6项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备介由箝位容量、样本保持电晶体而供给前述单位格的输出信号之样本保持电容;及被连接在箝位容量与样本保持电晶体的连接点,ONOFF箝位容量之箝位电晶体。9.如申请专利范围第8项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备减少箝位容量的ONOFF时的阻抗差之补値手段。10.如申请专利范围第9项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备在箝位电晶体的OFF时用以增加箝位容量的补値容量。11.如申请专利范围第3项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备供给前述单位格的输出信号之源极跟随电路;及介由箝位容量、样本保持电晶体而供给源极跟随电路的输出信号之样本保持电容;及被连接在箝位容量与样本保持电晶体的连接点,ONOFF箝位容量之箝位电晶体。12.如申请专利范围第3项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备前述单位格的输出信号被供给至闸极之切片电晶体、及被连接在切片电晶体的源极之切片容量与切片重设电晶体、及被重接在切片电晶体的汲极之切片荷转送容量与汲极重设电晶体。13.如申请专利范围第3项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备介由样本保持电晶体、箝位容量而供给前述单位格的输出信号之样本保持电容;及被连接在样本保持电容与箝位容量的连接点,ONOFF连接点之样本保持电晶体。14.一种MOS型固态摄影装置,系为针对具备所配列的多数个单位格、及选择单位格之手段、及被连接在前述选择手段与各行的单位格之间的选择线、及供给各列之单位格的输出之垂直信号线的MOS型固态摄影装置;其特征为:前述单位格,具备光转换部;及具有供给前述光电转换部的输出之闸极、被连接在前述垂直信号线之源极、及被连接在前述选择线之汲极等之增幅电晶体;及被插入至前述增幅电晶体的闸极与前述选择线之间的重设电晶体;前述增幅电晶体在前述选择线加入选择用的电压之时,闸极下方的通道电位具有与前述光电转换部的信号电压相同或是以上的变化之短通道效果。15.如申请专利范围第14项之MOS型固态摄影装置,其中进而具备被连接在前述光电转换部与前述增幅电晶体的闸极之间的转送闸极电路。16.如申请专利范围第14项之MOS型固态摄影装置,其中进而具备补偿多数个单位格的增幅电晶体之增幅特性的不均衡之手段。17.如申请专利范围第16项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备从前述单位格的输出只减算杂音成分之杂讯滤波器。18.如申请专利范围第16项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备从表示前述单位格的输出之电荷只减算表示杂音成分的电荷之杂讯滤波器。19.如申请专利范围第16项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备供给前述单位格的输出信号之源极跟随电路;及介由样本保持电晶体、箝位容量而供给源极跟随电路的输出信号之样本保持电容;及被连接在样本保持电容与箝位容量的连接点,ONOFF连接点之样本保持电晶体。20.如申请专利范围第19项之MOS型固态摄影装置,其中前述样本保持电容与箝位容量被薄膜沈积。21.如申请专利范围第16项之MOS型固态摄影装置,前述补偿手段具备介由箝位容量、样本保持电晶体而供给前述单位格的输出信号之样本保持电容;及被连接在箝位容量与样本保持电晶体的连接点,ONOFF箝位容量之箝位电晶体。22.如申请专利范围第21项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备减少箝位容量的ONOFF时的阻抗差之补値手段。23.如申请专利范围第22项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备在箝位电晶体的OFF时用以增加箝位容量之补値容量。24.如申请专利范围第16项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备供给前述单位格的输出信号之源极跟随电路;及介由箝位容量、样本保持电晶体而供给源极跟随电路的输出信号;及被连接在箝位容量与样本保持电晶体的连接点,ONOFF箝位容量之箝位电晶体。25.如申请专利范围第16项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备前述单位格的输出信号被供给至闸极之切片电晶体、及被连接在切片电晶体的源极之切片容量与切片重设电晶体、及被连接在切片电晶体的汲极之切片电荷转送容量与汲极重设电晶体。26.如申请专利范围第16项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备介由样本保持电晶体、箝位容量而供给前述单位格的输出信号;及被连接在样本保持容量与箝位容量的连接点,ONOFF连接点之样本保持电晶体。27.一种MOS型固态摄影装置,系为针对具备所配列的多数个单位格、及选择单位格之手段、及被连接在前述选择手段与各行的单位格之间的选择线、及供给各例的单位格的输出之垂直信号线等之MOS型固态摄影装置;其特征为:前述单位格,具备光电转换部;及具有供给前述光电转换部的输出的闸极、及被连接在前述垂直信号线的源极、及被连接在前述选择线的汲极等之增幅电晶体;及被插入至前述增幅电晶体的闸极与前述选择线之间的重设电晶体,在前述选择手段与前述选择线之间被连接有以前述选择手段所导通的开关电路。28.如申请专利范围第27项之MOS型固态摄影装置,其中进而具备被连接在前述光电转换部与前述增幅电晶体的闸极之间的转送闸极电路。29.如申请专利范围第27项之MOS型固态摄影装置,其中进而具备补偿多数个单位格的增幅电晶体之增幅特性不均衡的手段。30.如申请专利范围第29项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备从前述单位格的输出只减算杂音成分之杂讯滤波器。31.如申请专利范围第29项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备从表示前述单位格的输出之电荷减算只表示杂音成分的电荷之杂讯滤波器。32.如申请专利范围第29项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备供给前述单位格的输出信号之源极跟随电路;及介由样本保持电晶体、箝位容量而供给源极跟随电路的输出信号之样本保持电容;及被连接在样本保持电容与箝位容量的连接点,ONOFF连接点之样本保持电晶体。33.如申请专利范围第32项之MOS型固态摄影装置,其中前述样本保持电容与箝位容量被薄膜沈积。34.如申请专利范围第29项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备介由箝位容量、样本保持电晶体而供给前述单位格的输出信号之样本保持电容;及被连接在箝位容量与样本保持电晶体的连接点,ONOFF箝位容量之箝位电晶体。35.如申请专利范围第34项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备减小箝位容量的ONOFF时的阻阬差之补値手段。36.如申请专利范围第35项之MOS型固态摄影装置,其中前述补値手段具备在箝位电晶体的OFF时用以增加箝位容量之补値容量。37.如申请专利范围第29项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备供给前述单位格的输出信号之源极跟随电路;及介由箝位容量、样本保持电晶体而供给源极跟随电路之样本保持电容;及被连接在箝位容量与样本保持电晶体的连接点,ONOFF箝位容量之箝位容量电晶体。38.如申请专利范围第29项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备前述单位格的输出信号被供给至闸极之切片电晶体、及被连接在切片电晶体的源极之切片容量与切片重设电晶体、及被连接在切片电晶体的汲极之切片电荷送量与汲极重设电晶体。39.如申请专利范围第29项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备介由样本保持电晶体、箝位容量而供给前述单位格的输出信号之样本保持电容;及被连接在样本保持电容与箝位容量的连接点,ONOFF连接点之样本保持电晶体。40.一种MOS型固态摄影装置,系针对具备所配列的多数个单位格、及选择单位格的手段、及被连接在前述选择手段与各行的单位格之间的选择线、及供给各列的单位格之输出的垂直信号线等之MOS型固态摄影装置;其特征为:前述单位格具备光电转换部;及具有供给前述光电转换部的输出之闸极、及被连接在前述垂直信号线之源极、及被连接在前述选择线之汲极等之增幅电晶体;及被插入至前述增幅电晶体的闸极与前述选择线之间的位址电容,由于在前述选择线加入负方向的脉冲因而介由前述位址容量顺偏压前述光电转换部,排出该光电转换部内部的信号电荷。41.如申请专利范围第40项之MOS型固态摄影装置,其中进而具备被连接在前述光电转换部与前述增幅电晶体的闸极之间的转送闸极电路。42.如申请专利范围第40项之MOS型固态摄影装置,其中进而具备补偿多数个单位格的增幅电晶体之增幅特性不均衡之手段。43.如申请专利范围第42项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备从前述单位格的输出只减算杂音成之杂讯滤波器。44.如申请专利范围第42项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备从表示前述单位格的输出减算只表示杂音成分的电荷之杂讯滤波器。45.如申请专利范围第42项之MOS型固态摄影装置,其中具备供给前述单位格的输出信号之源极跟随电路;及介由样本保持电晶体、箝位容量而供给源极跟随电路之样本保持电容;及被连接在样本保持电容与箝位容量的连接点,ONOFF连接点之样本保持电晶体。46.如申请专利范围第45项之MOS型固态摄影装置,其中前述样本保持电容与箝位容量被薄膜沈积。47.如申请专利范围第3项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备介由于箝位容量、样本保持电晶体而供给前述单位格的输出信号之样本保持电容;及被连接在箝位容量与样本保持电晶体的连接点,ONOFF箝位容量之箝位电晶体。48.如申请专利范围第47项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备减小箝位容量的ONOFF时的阻抗差之补値手段。49.如申请专利范围第48项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备在箝位电晶体的OFF时用以增加箝位容量之补偿电容。50.如申请专利范围第42项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备供给前述单位格的输出信号之源极跟随电路;及介由箝位容量、样本保持电晶体而供给源极跟随电路的输出信号之样本保持电容;及被连接在箝位容量与样本保持电晶体的连接点,ONOFF箝位容量之箝位电晶体。51.如申请专利范围第42项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备前述单位格的输出信号被供给至闸极之切片电晶体、及被连接在切片电晶体的源极之切片容量与切片重设电晶体、及被连接在切片电晶体的汲极之切片电荷转送容量与汲极重设电晶体。52.如申请专利范围第42项之MOS型固态摄影装置,其中前述补偿手段具备介由样本保持电晶体、箝位容量而供给前述单位格的输出信号之样本保持电容;及被连接在切片电晶体的源极之切片容量与切片重设电晶体;及被连接在切片电晶体的汲极之切片电荷转送电容与汲极重设电晶体。53.一种MOS型固态摄影装置,系为针对具备在半导体基板上将作为光电转换部机能的单位格配列成2次元状而形成的摄影领域、及被配置在前述摄影领域的行方向选择所位址的行之复数个垂直位址线、及被配置在前述摄影领域的列方向读出从前述基本格的信号之复数个垂直信号线、及被设置在这些垂直信号线的一端之复数个负荷电晶体、及被设置在前述垂直信号线的他端侧之复数个水平选择电晶体等;其特征为:前述基本格,系以作为光电转换部的光敏二极体、及前述光敏二极体的输出被供给至闸极,源极和汲极分别被连接在前述垂直信号线和垂直位址线之增幅电晶体、及被插入至前述增幅电晶体的闸极与前述垂直位址线之间的位址电容、及与前述位址电容并联连接的重设电晶体等所形成。54.如申请专利范围第53项之MOS型固态摄影装置,其中前述光敏二极体与前述增幅电晶体的闸极插入转送电晶体。55.一种MOS型固态摄影装置,系为针对具备在半导体基板上设置光敏二极体,前述光敏二极体的输出被输入至闸极之增幅电晶体,将以弹性化前述增幅电晶体之位址手段和排出前述光敏二极体的信号之重设手段所形成的单位格配列成2次元状之摄影领域、及朝前述摄影领域的行方向配置的复数个垂直位址线、及驱动这些垂直位址线之垂直电晶体、及被配置在读出前述增幅电晶体的电流之列方向之复数个之垂直信号线、及被设在这些垂直信号线的一端之复数个负荷电晶体、及被设在前述垂直信号线的他端侧之复数个水平选择电晶体、及在这些水平选择电晶体的闸极依顺序加诸选择脉冲信号之水平位移暂存器、及介由前述水平选择电晶体从前述垂直信号线读出信号电流之水平信号线;其特征为:前述增幅电晶体的源极及汲极分别被连接在前述垂直信号线和垂直位址线,在前述垂直位址线与前述增幅电晶体的闸极之间插入位址电容,设置与前述光敏二极体并联的重设电晶体而形成。56.如申请专利范围第55项之MOS型固态摄影装置,其中前述光敏二极体与前述增幅电晶体的闸极间插入转送电晶体。57.一种MOS型固态摄影装置,系为针对具备在半导体基板上将作为光敏二极体机能的单位格配列成行列2次元状之摄影领域、及被配置在前述摄影领域的行方向选择所位址的行之复数个垂直位址线、及被配置在前述摄影领域的列方向读出从前述基本格的信号之复数个垂直信号线、及被设在这些垂直信号线的一端之复数个负荷电晶体、及被设在前述垂直信号线的他端侧之复数个水平选择电晶体之MOS型固态摄影装置;其特征为:前述基本格系以作为光电转换部的光敏二极体、及前述二极体的输出被输入至闸极,源极和汲极分别被连接在前述垂直信号线和垂直位址线之增幅电晶体、及被插入至前述增幅电晶体的闸极与前述垂直位址线之间的重设电晶体等所形成,前述增幅电晶体具有在前述垂直位址线加入位址电压时闸极下方的通道电位变化成与在前述光敏二极体所使用的信号电压相同或是以上的短通道效果。58.如申请专利范围第57项之MOS型固态摄影装置,其中前述光敏二极体与前述增幅电晶体的闸极间插入转送电晶体。59.一种MOS型固态摄影装置,系为针对在半导体基板上设置光敏二极体,前述光敏二极体的输出被输入至闸极之增幅电晶体,将以弹性化前述增幅电晶体的位址手段和排出前述光敏二极体的信号之重设手段所形成的单位格配列成行列2次元状之摄影领域、及被配置在前述摄影领域的行方向之复数个垂直位址线、及驱动这些垂直位址线的垂直位移电晶体、及被配置在读出前述增幅电晶体的电流之列方向之复数个垂直信号线、及被设在这些垂直信号线的一端之复数个负荷电晶体、及被设在前述垂直信号线的他端侧之复数个水平选择电晶体、及在这些水平选择电晶体的闸极依顺加诸选择脉冲信号之水平选择位移暂存器、及介由前述水平选择电晶体从前述垂直信号线读出信号电流之水平信号线;其特征为:前述增幅电晶体的源极及汲极分别被连接在前述垂直信号线及前述垂直位址线,在前述垂直位址线与前述增幅电晶体的闸极间插入重设电晶体,且前述增幅电晶体在前述垂直位址线加入位址电压时闸极下方的通道电位变化成与在光敏二极体所使用的信号电压相同或是以上之短通道效果。60.如申请专利范围第59项之MOS型固态摄影装置,其中在前述光敏二极体与前述增幅电晶体的闸极间插入转送电晶体。61.一种MOS型固态摄影装置,系为针对具备在半导体基板上设置光敏二极体,将以前述光敏二极体的输出被输入至闸极之增幅电晶体和排出前述光敏二极体的信号之重设手段所形成之单位格配列成2次元状之摄影领域、及被配置在前述摄影领域的行方向之复杂个垂直位址线、及选择所被位址的行方向格之垂直位移暂存器、及被配置在读出前述增幅电晶体的电压之列方向的复数个垂直信号线、及被设在这些垂直信号线的一端之复数个负荷电晶体、及被设在前述垂直信号线的他端侧之复数个水平选择电晶体、及在这些水平选择电晶体的闸极依顺加诸选择脉冲信号之水平选择位移暂存器、及介由前述水平选择电晶体从前述垂直信号线读出信号电流之水平信号线;其特征为:前述增幅电晶体的源极及汲极分别被连接在前述垂直信号线及前述垂直位址线,前述垂直位址线介由以前述垂値位移暂存器的输出而成为导通状态的开关电路连接在位址电源。62.如申请专利范围第61项之MOS型固态摄影装置,其中在前述光敏二极体与前述增幅电晶体的闸极间插入转送电晶体。63.一种MOS型固态摄影装置,系为针对具备在半导体基板上将作为光电转换部机能的单位格配列成行2次元状之摄影领域、及被配置在前述摄影领域的行方向选择所位址的行之复数个垂直位址线、及被配置在前述摄影装置的列方向读出从前述基本格的信号之复数个垂直信号线、及被设在这些垂直信号线的一端之复数之负荷电晶体、及被设在前述垂直信号线的他端侧之复数个水平选择电晶体;前述基本格系以作为光电转换部的光敏二极体、及前述光敏二极体的输出被输入至闸极,源极及汲极分别被连接在前述垂直信号线及垂直位址线之增幅电晶体、及被插入至前述增幅电晶体的闸极与前述垂直位址线之间的位址容量等所形成,其特征为:由于在前述垂直位址线加入负方向的脉冲因而介由前述位址电容顺偏压前述光敏二极体,将前述光敏二极体内部的信号电荷排出至前述半导体基板内。64.如申请专利范围第63项之MOS型固态摄影装置,其中在前述光敏二极体与前述增幅电晶体的闸极间插入转送电晶体。65.一种MOS型固态摄影装置,系为针对具备在半导体基板设置光敏二极体,前述光敏二极体的输出被输入至闸极的增幅电晶体,将以弹性化前述增幅电晶体的位址手段和排出前述光敏二极体的信号的重设手段所形成的单位格配列成2次元状之摄影领域、及被配置在前述摄影领域的行方向之复数个垂直位址线、及驱动这些垂直位址线的垂直位移暂存器、及被设在这些垂直信号线的他端侧之复数个水平选择电晶体、及在这些水平选择电晶体的闸极依顺加诸选择脉冲信号之水平选择位移暂存器、及介由前述水平选择电晶体从前述垂直信号线读出信号电流之水平信号线等之MOS型固态摄影装置;其特征为:前述增幅电晶体的源极及汲极分别被连接在前述垂直信号线及前述垂直位址线,在前述垂直位址线及前述增幅电晶体的闸极间插入位址电容,由于前述垂直位址线加入负方向的脉冲因而介由位址电容顺偏压前述光敏二极体,具有将该光敏二极体内部的信号电荷排出至半导体基板内之格构造。66.如申请专利范围第65项之MOS型固态摄影装置,其中在前述光敏二极体与前述增幅电晶体的闸极间插入转送电晶体。图式简单说明:第一图系为表示MOS型固态摄影装置之过去例的构成之电路图。第二图系为表示第一图过去的动作之时间图。第三图系为表示本发明MOS型固态摄影装置的第1实施例之电路图。第四图系为表示第1实施例的垂直位址电路之电路构成图。第五图系为表示第1实施例的垂直位址其他电路构成图。第六图系为表示第1实施例的垂直位址另外电路构成图。第七图系为表示第1实施例的动作之时间图。第八图A,第八图B系为表示第1实施例的单位格装置构造之断面图。第九图系为表示第1实施例的单位格部分的半导体基板之变形例图。第十图系为CCD型固态摄影装置的过去例之格断面图。第十一图系为表示第1实施例的单位格部分的半导体基板之其他变形例图。第十二图系为表示第1实施例的单位格部分的半导体基板之另外变形例图。第十三图系为表示第1实施例的单位格部分的半导体基板之另外变形例图。第十四图系为表示第1实施例的单位格部分的半导体基板之另外变形例图。第十五图系为表示第1实施例的单位格部分的半导体基板之另外变形成例图。第十六图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第2实施例的构成之电路图。第十七图系为表示第1实施例杂讯滤波器部分的装置构造之断面图。第十八图系为表示第2实施例的动作之时间图。第十九图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第3实施例的构成之电路图。第二十图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第4实施例的构成之电路图。第二十一图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第5实施例的构成之电路图。第二十二图系为表示第5实施例的动作之时间图。第二十三图系为第5实施例切片电晶体之位能图。第二十四图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第6实施例的构成之电路图。第二十五图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第7实施例第1构成之电路图。第二十六图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第7实施例第7实施例之第2构成之电路图。第二十七图系为表示第7实施例的动作时。第二十八图系为第7实施例的杂讯滤波器电路的电位图。第二十九图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第8实施例的单位格构成之电路图。第三十图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第9实施例的单位格构成之电路图。第三十一图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第10实施例的单位格构成之电路图。第三十二图系为表示第10实施例的动作之时间图。第三十三系为表示第10实施例的装置构造图。第三十四图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第11实施例的单位格构成之电路图。第三十五图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第12实施例的单位格构成之电路图。第三十六图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第13实施例的单位格构成之电路图。第三十七图系为表示本发明MOS型固态摄影装置第14实施例的单位格构成之电路图。第三十八图系为表示第14实施例的动作之时间图。第三十九图系为在于本发明的变形例,被连接在水平信号线的视讯增幅之电路图。 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