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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer isolierenden Seitenwand
摘要
申请公布号 DE69227150(T2) 申请公布日期 1999.04.29
申请号 DE1992627150T 申请日期 1992.06.19
申请人 CANON K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 SAKAMOTO, MASARU, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA, OHTA-KU, TOKYO, JP;FUJITA, KEI, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA, OHTA-KU, TOKYO, JP
分类号 H01L21/28;H01L21/266;H01L21/285;H01L21/331;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/485;(IPC1-7):H01L21/60 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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