发明名称 Verfahren für vertiefte, selbstausgerichtete Basisstruktur mit niedrigem Widerstand
摘要
申请公布号 DE69322348(T2) 申请公布日期 1999.04.29
申请号 DE1993622348T 申请日期 1993.09.17
申请人 STMICROELECTRONICS, INC., CARROLLTON, TEX., US 发明人 IMHAUSER, WILLIAM P., AMBLER, PA 19002, US
分类号 H01L21/331;H01L29/08;H01L29/10;(IPC1-7):H01L21/331 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
主权项
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