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发明名称
Verfahren für vertiefte, selbstausgerichtete Basisstruktur mit niedrigem Widerstand
摘要
申请公布号
DE69322348(T2)
申请公布日期
1999.04.29
申请号
DE1993622348T
申请日期
1993.09.17
申请人
STMICROELECTRONICS, INC., CARROLLTON, TEX., US
发明人
IMHAUSER, WILLIAM P., AMBLER, PA 19002, US
分类号
H01L21/331;H01L29/08;H01L29/10;(IPC1-7):H01L21/331
主分类号
H01L21/331
代理机构
代理人
主权项
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