| 发明名称 | 喷墨头电阻层的制程 | ||
| 摘要 | 一种喷墨头电阻层的制程,其系于选定的基板上,以热氧化法(Thermal Oxidation)形成一介电层,再于该介电层上溅镀(Sputtering)一第一电阻层,而于该第一电阻层上溅镀一掺质层,又于该掺质层上溅镀一第二电阻层,继之通过一快速热制程步骤(Rapid Thermal Processing RTP),将使该掺质层扩散至该第一电阻层与该第二电阻层,以避免电子迁移现象(ElectronMigration)发生,而得到特性较佳的喷墨头结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1214992A | 申请公布日期 | 1999.04.28 |
| 申请号 | CN97121341.0 | 申请日期 | 1997.10.21 |
| 申请人 | 研能科技股份有限公司 | 发明人 | 莫自治;周沁怡;张一熙;杨长谋;曾国佑;张英伦;郑香京;蔡宏骏 |
| 分类号 | B41J2/16 | 主分类号 | B41J2/16 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张恒康 |
| 主权项 | 1．一种喷墨头电阻层的制程，其特征在于，：制程步骤包括： a)形成一介电层于一基板上； b)形成一第一电阻层于该介电层上； c)形成一掺质层于该第一电阻层上； d)形成一第二电阻层于该掺质层上；以及 e)施行一热处理步骤，以使掺质层扩散至该第一电阻层与该第二电阻层，而形成该喷墨头的该电阻层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区研发二路28号1F | ||