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发明名称 A method of fabricating a semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg
摘要
申请公布号 EP0693810(B1) 申请公布日期 1999.04.28
申请号 EP19950304852 申请日期 1995.07.11
申请人 SHARP KABUSHIKI KAISHA 发明人 MORIMOTO, TAIJI;SHIBATA, ZENKICHI;ISHIZUMI, TAKASHI;MIYAZAKI, KEISUKE;HATA, TOSHIO;OHITSU, YOSHINORI
分类号 H01S5/00;H01L33/30;H01S5/042;H01S5/223;H01S5/30;H01S5/32;H01S5/323;(IPC1-7):H01S3/19;H01L33/00 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人
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