| 发明名称 | 具保护层的晶片透孔加工法 | ||
| 摘要 | 一种具有保护层的晶片透孔加工法,其系应用于在一晶片上形成至少一个透孔的制造加工上,其加工步骤包含:(1)提供一承载基面;(2)放置该晶片于该承载基面上;(3)于该承载基面与该晶片之间,形成一反射透过穿孔的粒子群之保护层;(4)以一快速移动之粒子群撞击该晶片之一特定区域以形成该透孔。本发明提高了晶片加工的质量与砂材的回收率。 | ||
| 申请公布号 | CN1214987A | 申请公布日期 | 1999.04.28 |
| 申请号 | CN97121323.2 | 申请日期 | 1997.10.22 |
| 申请人 | 研能科技股份有限公司 | 发明人 | 莫自治;郑香京;周沁怡;杨长谋 |
| 分类号 | B28D5/00 | 主分类号 | B28D5/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 王月珍 |
| 主权项 | 1．一种具有保护层的晶片透孔加工法，是以喷砂方式达成穿孔的过程，其特征在于晶片透孔加工法的步骤包括：(1)提供一承载基面；(2)放置该晶片于该承载基面上；(3)于该承载基面与该晶片之间，形成一反射透过穿孔的粒子群之保护层；(4)以一快速移动之粒子群撞击该晶片之一特定区域以形成该透孔。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区研发二路28号1F | ||