| 发明名称 |
Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comprenant des transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur. |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
FR2714525(B1) |
申请公布日期 |
1999.04.23 |
| 申请号 |
FR19940012667 |
申请日期 |
1994.10.24 |
| 申请人 |
FUJITSU LTD |
发明人 |
OTSUKI YOSHIMICHI (C/O FUJITSU LIMITED) |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/8238;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
