| 发明名称 |
ADJUSTING METHOD OF THICKNESS OF SEMICONDUCTOR WAFER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11111670(A) |
申请公布日期 |
1999.04.23 |
| 申请号 |
JP19970265249 |
申请日期 |
1997.09.30 |
| 申请人 |
HITACHI CABLE LTD |
发明人 |
KASHIWA MIKIO;ONISHI MASAYA |
| 分类号 |
H01L21/306;H01L21/316;(IPC1-7):H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/306 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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