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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit Bipolartransistoren
摘要
申请公布号 DE68928951(D1) 申请公布日期 1999.04.22
申请号 DE1989628951 申请日期 1989.05.08
申请人 SONY CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 HOZUMI, HIROKI C/O PATENT DIVISION, SHINAGAWA-KU TOKYO 141, JP;NAKAMURA, MINORU C/O PATENT DIVISION, SHINAGAWA-KU TOKYO 141, JP;MIWA, HIROYUKI C/O PATENT DIVISION, SHINAGAWA-KU TOKYO 141, JP;KAYANUMA, AKIO C/O PATENT DIVISION, SHINAGAWA-KU TOKYO 141, JP
分类号 H01L29/73;H01L21/331;H01L21/763;H01L23/485;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/732;H01L21/822;H01L21/60 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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