PROTECTIVE CIRCUIT WITH N-CHANNEL MOS FET FOR AN ELECTRONIC CIRCUIT

摘要

Die Erfindung beschreibt eine preiswerte und leistungsarme Schutzschaltung für Elektronikschaltungen (E), bei denen eine Zerstörung der Elektronikschaltung bei Verpolung der Anschlussspannung sicher verhindert werden soll. Die Erfindung schlägt hierzu im Prinzip die Verwendung eines MOS-FET, insbesondere N-Kanal-MOS-FET vor. Mit einem derartigen Bauelement lassen sich leistungsarm in Durchlassrichtung grosse Leistungen schalten.