发明名称 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG INTEGRIERTER SCHALTUNGEN MIT NEBENEINANDER GEFORMTEN ELEKTRODEN
摘要
申请公布号 DE69227666(T2) 申请公布日期 1999.04.22
申请号 DE1992627666T 申请日期 1992.07.10
申请人 THOMSON-CSF SEMICONDUCTEURS SPECIFIQUES, PARIS, FR 发明人 BLANCHARD, PIERRE, F-92045 PARIS-LA DEFENSE CEDEX 67, FR
分类号 H01L27/148;H01L21/285;H01L21/339;H01L21/60;H01L29/423;(IPC1-7):H01L21/285;H01L29/41 主分类号 H01L27/148
代理机构 代理人
主权项
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