| 主权项 |
1.一种半导体装置制造方法,其包含一个步骤其中一个罩幕被使用于乾式蚀刻一个规定的图案于一个较下层之上,在乾燥蚀刻过程其后,前述的较下层被允许留在半导体基片,其中一个由前述较下层产生的混合残余,阻抗,与用于前述的乾式蚀刻过程的蚀刻气体,被以一种包含0.04-0.12重量百分比氢氟化物的处理液体处理。2.如申请专利范围第1项之方法,其中较下层是一个绝缘层,且经由对前述较下层作图案来实行一个接触洞的形成过程。3.如申请专利范围第1项之方法,其中较下层是一个传导层,此传导层被允许在蚀刻过程之后留下成为线路。4.如申请专利范围第1至3项任一项之方法,其中在处理液体的氢氟化物的浓度是0.09-0.10重量百分比。5.一种处理液体,使用于申请专利范围第1至3项任一项之半导体装置制造方法中。6.一种处理液体,使用于申请专利范围第4项之半导体装置制造方法中。图式简单说明:第一图是第一个实施例的第二电子图象简图,其在形成接触洞之后以电子显微镜扫描一个绝缘层的表面而得,第一图(a)举例说明了聚合物残余被除去之后的状况,而第一图(b)举例说明了聚合物残余被除去之前的状况。第二图是一个扩大的剖面其图举例说明形成前述接触洞的过程。第三图举例说明类似于第十二图的BPSG层的第二电子图象,其清洗处理液体具多样不同的氢氟化物浓度。第三图(a)是一个使用0.05重量百分比氢氟化物浓度的氢氟酸的情况(实施例)的第二电子影像;第三图(b)有关一个使用0.04重量百分比氢氟化物浓度的氮氟酸的情况(实施例);第三图(c)有关一个使用0.03重量百分比氢氟化物浓度的氢氟酸的情况(比较例);第三图(d)有关一个使用0.02重量百分比氢氟化物浓度的氢氟酸的情况(比较例);而第三图(e)有关一个不含氢氟化物的氢氟酸的情况(比较例)。第四图是一个图其举例说明于前述清洗处理液体的氢氟化物浓度,遗留下的聚合物残余的数量,与接触洞宽度的损失之间的关系。第五图是一个图其举例说明于这第二个实施例中加到清洗处理液体的表面活化剂的量,BPSG层腐蚀速率,接触洞宽度损失,与清洗处理液体表面张力之间的关系。第六图是一个扩大的剖面图其举例说明第三个实施例中形成接触洞的过裎。第七图是一个扩大的剖面图其举例说明第四个实施例形成接触洞的过程。第八图是第五个实施例的DRAM记忆体单元的的主要元件的一个扩大的平面图。第九图是前述记忆单元(沿第八图的线IX-IX)的一个扩大的剖面图。第十图是前述记忆单元(沿第八图的线X-X)的一个扩大的剖面图。第十一图是一个扩大的剖面图其举例说明使用多层阻抗罩幕代替使用于第三个实施例(前述第六图)的阻抗罩幕的接触洞形成。第十二图是一个扩大的剖面图其举例说明于乾式蚀刻图案期间利用产生的聚合物残余层作高精确图案的过程。第十三图是一个于传统比较例子中围绕一个接触洞的区域的扩大剖面图。 |
