| 主权项 |
1.一种抛光垫,使用浆液处理工作件表面,包括:复数槽沟,沿抛光垫表面径向朝外延伸,均匀导引浆液满布于抛光垫表面者。2.如申请专利范围第1项抛光垫,其中抛光垫表面实质上平坦者。3.如申请专利范围第1项抛光垫,其中该复数槽沟彼此等距隔开者。4.如申请专利范围第1项抛光垫,其中该复数槽沟各包括槽沟包括进入垫表面,具有深度和宽度的切口,深约0.45至0.75mm,宽约0.15至0.50mm者。5.如申请专利范围第4项抛光垫,其中该切口包括进入垫表面之U形或V形切口者。6.如申请专利范围第1项抛光垫,其中该复数槽沟各以弧形组态,沿抛光垫表面径向延伸者。7.如申请专利范围第6项抛光垫,其中该弧形组态包括采自离抛光垫中心大约3.5至7.5寸处之弧形,该弧形之半径大约0至15寸者。8.如申请专利范围第6项抛光垫,其中抛光垫以该弧形角度的同样角位方向绕直立轴线转动者。9.如申请专利范围第6项抛光垫,其中抛光垫以该弧形角度的相反方向绕直立轴线转动者。10.如申请专利范围第1项抛光垫,其中抛光垫具有直径和厚度,直径约25至40寸,而厚度大约0.04至0.15寸者。11.如申请专利范围第1项抛光垫,其中抛光垫包括聚胺酯、毛毡或布者。12.如申请专利范围第1项抛光垫,又包括锥形中心部,以供浆液分散于抛光垫上,该中心部直径为2至10寸者。13.如申请专利范围第1项抛光垫,其中该复数槽沟包含大约150至280槽沟者。14.一种工作件表面磨平方法,包括下列步骤:提供抛光垫,在该垫表面具有复数槽沟,从该垫中心径向朝外延伸至该垫外周,平均分布浆液于垫全面者;令该抛光垫绕其直立轴线转动;使该浆液淀积于该抛光垫上;以及在该浆液存在下,将工作件表面压紧于该垫表面者。15.如申请专利范围第14项方法,又包括步骤为,令该工作件绕其直立轴线转动,同时将工作件表面压紧于垫者。16.如申请专利范围第14项方法,其中该槽沟在接近垫外周时,逐渐开始径向朝内弯曲者。17.如申请专利范围第16项方法,其中该垫以槽沟曲率的同样角位方向,绕其直立轴线转动者。18.如申请专利范围第16项方法,其中该垫以槽沟曲率的相反角位方向,绕其直立轴线转动者。19.如申请专利范围第14项方法,其中该垫表面实质上平坦者。20.如申请专利范围第14项方法,其中该槽沟彼此以等距隔开者。21.如申请专利范围第14项方法,其中该槽沟各包括进入垫表面之切口,具有深度和宽度,深大约0.45至0.75mm,而宽大约0.15至0.50mm者。22.如申请专利范围第14项方法,其中该切口包括进入垫表面之U形或V形切口者。23.如申请专利范围第14项方法,其中抛光垫具有直径和厚度,直径约25至40寸,而厚度大约0.04至0.15寸者。24.如申请专利范围第14项方法,其中该复数槽沟包含大约150至280槽沟者。25.一种工作件表面抛光用装置,包括:抛光垫,具有弯曲槽沟,径向朝外延伸于该抛光垫全面,平均分布浆液于该抛光垫全面;搭接轮,供该抛光垫绕其直立轴线转动;浆液喷嘴,令该浆液淀积于该抛光垫表面,同时转动该抛光垫;以及个别载体元件,令工作件绕其直立轴线旋转,并移动工作件径向朝内和朝外越过该抛光垫者。26.如申请专利范围第25项装置,其中抛光垫表面实质上平坦者。27.如申请专利范围第25项装置,其中该槽沟彼此以等距隔开者。28.如申请专利范围第25项装置,其中该复数槽沟各包括槽沟包括进入垫表面,具有深度和宽度的切口,深约0.45至0.75mm,宽约0.15至0.50mm者。29.如申请专利范围第25项装置,其中该切口包括进入垫表面之U形或V形切口者。30.如申请专利范围第25项装置,其中该抛光垫以该弯曲槽沟曲率的同样方向,绕其直立轴线转动者。31.如申请专利范围第25项装置,其中该抛光垫以该弯曲槽沟曲率的相反方向,绕其直立轴线转动者。32.如申请专利范围第25项装置,其中抛光垫具有直径和厚度,直径约25至40寸,而厚度大约0.04至0.15寸者。33.如申请专利范围第25项装置,其中该抛光垫包括材料,选自包括聚胺酯、毛毡和布者。34.如申请专利范围第25项装置,其中该抛光垫又包括锥形中央部,以供浆液分散于该抛光垫,该中央部直径为2至10寸者。35.如申请专利范围第25项装置,其中该复数槽沟包含大约150至280槽沟者。图式简单说明:第一图为本发明半导体晶圆抛光和磨平机之透示图;第二图为第一图机器俯视断面图,表示晶圆承载装置位于抛光垫上方;第三图为第一图机器另一俯视图,表示晶圆承载装置位于晶圆台上方;第四图为本发明抛光垫之侧视图;第五图为第四图抛光垫之平面图。 |
