| 主权项 |
1.一种半导体元件,具有至少二个堆叠的大致上相 同材料 的沉积绝缘膜,其中该绝缘膜是形成在一个基体上 或其上 方,并具有一个表面层,沉积在其表面上而具有与 其它部 位显着地不同的密度或浓度。2.一种半导体元件, 具有一第一绝缘膜,形成在一基体上 或其上方;一第二绝缘膜,大致上是由相同的材料 所构成 的,沉积在该第一绝缘膜上,并具有一表面层,沉积 在其 表面上,而具有与其它部位显着地不同的密度或浓 度。3.根据申请专利范围第2项之半导体元件,其中 该第二绝 缘膜是由电浆增强化学蒸镀膜所构成的,而该表面 层则具 有显着不同的密度。4.根据申请专利范围第2项之 半导体元件,进一步包含有 :一个接点孔洞,形成在该等绝缘膜上,以将该基体 的表 面暴露出,而其表面的至少一部份是由等向性蚀刻 作业所 形成的。5.根据申请专利范围第4项之半导体元件, 其中该接点孔 洞中由等向性蚀刻所形成的内侧表面是和缓地倾 斜的,这 是由于侧边方向的蚀刻作业是较朝向基体之方向 的蚀刻作 业为快的结果所致。6.根据申请专利范围第2项至 第4项中任一项之半导体元件 ,其中该第一绝缘膜是二氧化矽膜,而该表面层则 是具有 至少较该第一绝缘膜为高之氮浓度的绝缘层。7. 一种制造半导体元件的方法,包含有下列步骤:(a) 藉 着启动由大致上相同量之由多种气体混合而成的 气态混合 物而在一基体上形成一绝缘膜;然后(b)在不暴露于 外界 空气中的情形下,停止该等气体的流动,以使该等 气体中 的至少一种留滞在该绝缘膜上;然后(c)保持远离外 界空 气,而在足够的时间后,再次使该等多种气体流动, 因之 而在该绝缘膜上沉积出一层表面绝缘膜。8.一种 制造半导体元件的方法,包含有下列步骤:(a)藉 着启动由大致上相同量之由多种气体混合而成的 气态混合 物来形成一层绝缘膜;然后(b)在不暴露于外界空气 中的 情形下,停止该等气体中的至少一种的流动;然后(c )保 持远离外界空气,而在足够的时间后,再次使所有 该等多 种气体流动,因之而在该绝缘膜上沉积出该表面绝 缘膜。9.根据申请专利范围第7项至第8项中任一项 之制造半导体 元件的方法,其中该等多种气体包含有内含有氮的 气体和 矽烷族气体。10.根据申请专利范围第7项至第8项 中任一项之制造半导 体元件的方法,其中该等多种气体包含有N2O气体和 SiH4 气体;而SiH4气体会在该气体停止步骤中流止流入 。11.一种制造半导体元件的方法,包含有下列步骤 :(a)在 基体上形成一绝缘膜;然后(b)藉由在该绝缘膜的表 面上 启动氮的方式而在靠近于其上的部位处形成含有 高浓度氮 的表面层;然后(c)在该表面层上沉积出另一层绝缘 膜。12.根据申请专利范围第7项之制造半导体元件 的方法,其 中该等步骤(a)、(b)、(c)系依照顺序重覆实施多次 。13.根据申请专利范围第8项之制造半导体元件的 方法,其 中该等步骤(a)、(b)、(c)系依照顺序重覆实施多次 。14.根据申请专利范围第11项之制造半导体元件 的方法, 其中该等步骤(a)、(b)、(c)系依照顺序重覆实施多 次。15.根据申请专利范围第12项之制造半导体元 件的方法, 其中在该等步骤之后跟着进行下列步骤:在该表面 绝缘膜 的蚀刻速率是较该绝缘膜为慢的情形下,以等向性 蚀刻作 业侵蚀进入该表面绝缘膜与该绝缘膜内,以形成一 接点孔 洞。16.根据申请专利范围第7项之制造半导体元件 的方法,进 一步包含有该等步骤之后进行退火步骤。17.根据 申请专利范围第7项或第12项至第14项之制造半导 体元件的方法,其中该等步骤(a)、(b)、(c)是在电浆 生 成的条件下实施的。图式简单说明:第一图至第四 图是根 据本发明之实施例的半导体元件的剖面图。第五 图是根据 本发明之实施例的六层电浆增强CVD绝缘体的剖面 图。第 六图是一图形,显示出根据本发明之实施例的每一 个条件 的次序。第七图是习用技艺与本发明实施例之接 点孔洞比 较的剖面图。第八图是习用技艺与本发明实施例 之湿式蚀 刻出而具有瑕疵之接点孔洞比较的剖面图。第九 图是一图 形,显示出空泡式瑕疵之总量的变化。第十图至第 十一图 是根据本发明之实施例的半导体元件的剖面图。 第十二图 是一图形资料,显示出浓度随着深度之变化而改变 的情形 。第十三图至第十六图是根据习用技艺之习用半 导体元件 的剖面图。第十七图是一图形,显示出习用技艺中 每一种 条件的次序。 |
