| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,其闸极,源极,及汲极之中至少1 电 极为由同一的材料所形成,并且该1电极之膜质为 沿其膜 厚方向变化者。2.如申请专利范围第1项的薄膜电 晶体,其中前述膜质为 沿膜厚方向连续的变化者。3.如申请专利范围第1 项的薄膜电晶体,其中前述膜质为 沿膜厚方向阶段的变化者。4.如申请专利范围第2 项或第3项的薄膜电晶体,其中前述 膜质的变化为原子密度之变化者。5.如申请专利 范围第2项或第3项的薄膜电晶体,其中前述 膜质的变化为结晶方向的变化者。6.如申请专利 范围第2项或第3项的薄膜电晶体,其中前述 膜质的变化为比电阻的变化者。7.一种薄膜电晶 体,其闸极,源极,及汲极之中至少1电 极为由至少2层的电极层形成,并且该2层的电极层 各为由 同一的材料形成,其膜质为沿膜厚方向变化者。8. 如申请专利范围第1项或第7项之薄膜电晶体,其中 前述 1电极为由铬,铝,铝合金,钼,钽,及钛中之任一形成 者。9.一种薄膜电晶体的制法,该薄膜电晶体之闸 极,源极及 汲极之中至少1电极为由同一的材料形成,该1电极 之端缘 部之由端缘向中心部具有长度减少之锥形面,其制 造程序 包含:(1)将该1电极之膜质沿膜厚方向变化,沿膜厚 方向 变化蚀刻率以形成该1电极;(2)对该1电极实施蚀刻 以形 成前述锥形面。10.如申请专利范围第9项记载的薄 膜电晶体的制法,其中 以喷洒法对于前述1电极成膜之际,将成膜压力变 化于0. 14Pa以上1.4Pa以下的范围以形成蚀刻率不同之膜者 。11.如申请专利范围第9项的薄膜电晶体的制法, 其中以喷 洒法对于前述1电极成膜之际,将成膜功力密度变 化于0. 25w/cm2以上2.5w/cm2以下的范围以形成蚀刻率不同之 膜 者。12.如申请专利范围第9项的薄膜电晶体的制法 ,其中以喷 洒法对于前述1电极成膜之际,将成膜温度变化于25 ℃以 上250℃以下的范围以形成蚀刻率不同之膜者。13. 如申请专利范围第9项的薄膜电晶体的制法,其中 以喷 洒法对于前述1电极成膜之际,将氮瓦斯分压力变 化于0. 01Pa以上0.14Pa以下的范围以形成蚀刻率不同之膜者 。14.如申请专利范围第9项的薄膜电晶体的制法, 其中以喷 洒法对于前述1电极成膜之际,将氧瓦斯分压力变 化于0. 01Pa以上0.14Pa以下的范围以形成蚀刻率不同之膜者 。15.如申请专利范围第9项的薄膜电晶体的制法, 其中于前 述1电极成膜之后,由注入磷离子以变化该1电极表 面的膜 质,使各电极之膜沿膜厚方向为蚀刻率不同者。图 式简单 说明:第一图表示本发明之一实施形态的TFT构造的 断面 说明图。第二图表示成膜压力与蚀刻率之关系。 第三图表 示成膜功力与蚀刻率之关系。第四图表示本发明 之另一实 施形态的TFT构造的断面说明图。第五图表示依习 用技术 之TFT构造的断面说明图。 |
