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1.一种用以测量待测物体的物理量之方法,该方法 主要在 界面全反射时,测量s-偏光(垂直偏光)与P-偏光(水 平偏 光)相位的改变,来计算得出待测的物理量,该方法 包含 下列的步骤:(1)用一折射率较高的材料作为全反射 用的 基底,一折射率较低之材料紧靠于此基底的一面;(2 )调 整并校正入射光的角度;(3)调整外差光源的偏振方 向, 并满足入射面上s-偏光(垂直偏光)与p-偏光(水平偏 光)均 为单一频率且两者之间有一频差;(4)接收两光路径 之光 干涉信号;(5)校正相位计并量出该两路径的起始相 位差 ;(6)选择适当的角度,让待测界面满足全反射的条 件; 及(7)由相位计计算出相位差及依据该相位差计算 待测物 体之物理量。2.根据申请专利范围第1项之方法,其 中该检偏板之穿透 轴在45。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该 物理量为待测 物体之折射率。4.根据申请专利范围第1项之方法, 其中该物理量为待测 物体之角度。5.根据申请专利范围第1项之方法,其 中该物理量为待测 物体之温度。6.根据申请专利范围第1项之方法,其 中该物理量为待测 物体之压力。7.根据申请专利范围第1项之方法,其 中接收该光干涉信 号之该光路径包含一个检偏板及一个光侦测器。 图式简单 说明:第一图为利用本发明之全反射外差干涉术来 测量待 测物之折射率或入射角度的结构图;及第二图为界 面全反 射时的光路径图。 |
