发明名称 改进的激光熔丝连接及其制造方法
摘要 一种在硅衬底上的动态随机存取存储器集成电路,包括有主存储器阵列元件的主存储器阵列,和耦合到主存储器阵列的冗余存储器阵列;耦合到冗余存储器阵列的多根激光熔丝连接,其中第一激光熔丝连接形成在制造动态随机存取存储器集成电路期间被用激光束修改,以设置冗余存储器阵列元件中第一冗余元件地址熔丝的值;激光熔丝连接下的多个掩蔽部分,构成该掩蔽部分以显著减少用激光束设置第一激光熔丝连接时,激光对掩蔽部分下的第一区的激光损伤。
申请公布号 CN1214549A 申请公布日期 1999.04.21
申请号 CN98116278.9 申请日期 1998.08.11
申请人 西门子公司;国际商业机器公司 发明人 彼得·韦甘德;爱德华·W·基威拉;钱德拉塞克哈·纳拉扬;肯尼思·C·阿恩特;戴维·拉赫特鲁普;理查德·A·吉尔摩;安东尼·M·帕拉戈尼亚
分类号 H01L27/105 主分类号 H01L27/105
代理机构 柳沈知识产权律师事务所 代理人 黄敏
主权项 1、一种集成电路,包括:衬底;覆盖所说衬底的掩蔽部分;及第一激光熔丝连接,所说激光熔丝连接在制造所说集成电路期间由激光束设置成形,所说第一激光熔丝连接直接设置于所说掩蔽部分之上,其中所说掩蔽部分构形成在用所说激光束设置所说第一激光熔丝连接时,显著减少所说激光束对所说掩蔽部分下的第一区域的激光损伤。
地址 联邦德国慕尼黑