| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法,其中用于在制造区域内形成布线图形的第一光刻胶图形和用于形成诸如对准标记的附属图形的第二光刻胶图形之间的高度差或台阶大大减小了。第二光刻胶图形形成在突起部分上。该突起部分是由故意留下的,由对应于第一和第二层间绝缘膜的绝缘层和导电层、形成在制造区域内的布线图形中的存储电极和平板电极,以及常规器件的第二上布线和接地膜构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1214541A | 申请公布日期 | 1999.04.21 |
| 申请号 | CN98120148.2 | 申请日期 | 1998.10.09 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 安藤真照 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1．一种半导体器件，包括衬底和形成在衬底上的用于形成附属图形的突起部分。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||