| 发明名称 | 半导体激光器 | ||
| 摘要 | 一种半导体激光器至少包含一个活性层和一个饱和吸收层,并且饱和吸收层中的压缩应变量被设定得比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。或者,一种半导体激光器至少包含一个活性层、一个饱和吸收层和一个设置在饱和吸收层邻近的导光层;并且饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。 | ||
| 申请公布号 | CN1214806A | 申请公布日期 | 1999.04.21 |
| 申请号 | CN97193298.0 | 申请日期 | 1997.03.03 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 足立秀人;木户口勋;熊渕康仁 |
| 分类号 | H01S3/18 | 主分类号 | H01S3/18 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蹇炜 |
| 主权项 | 1、一种半导体激光器，它至少包括一个活性层和一个饱和吸收层，其中饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3％左右或更多。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||