| 发明名称 | 使用活化氮形成氮化层的热回火方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种在集成电路中形成氮化层的热回火法。首先要预备一面基板。然后在基板上形成一层形成氮化物所需的材料。这层形成氮化物所需的材料,再于活化氮的氛围中利用热回火法加以回火,而形成氮化层。当在集成电路中形成氮化钛的障蔽层与氮化钛的附着促进层时,这种方法特别有效。 | ||
| 申请公布号 | CN1214530A | 申请公布日期 | 1999.04.21 |
| 申请号 | CN97120455.1 | 申请日期 | 1997.10.15 |
| 申请人 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 发明人 | 张良冬 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 张平元 |
| 主权项 | 1．一种在集成电路中形成氮化层的热回火法，其步骤包含：预备一面基板；在该基板上形成一层形成氮化物的材料；并且在活化氮的氛围中，对形成氮化物的材料层进行热回火，形成一层氮化层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||