增进多晶硅电阻稳定性的结构及其方法

摘要

多晶硅的电阻值通常因氢原子的穿透进入而经常变化,从而造成多晶硅的电阻值不稳定,传统解决的方法为淀积一层氮化硅层于多晶硅电阻层之上以防止氢原子的穿透,然而此方法将增加工艺的复杂性,本发明是利用后续淀积的膜层来遮盖多晶硅电阻层的布局结构以增进多晶硅电阻的稳定性。

主权项

1．一种具有稳定性多晶硅电阻的存储单元，该存储单元包含：多晶硅电阻，形成于衬底上；以及一遮盖结构，形成于该多晶硅电阻之上且完全遮盖住该多晶硅电阻，其中所述的遮盖结构为存储单元内连线结构的一部分。