发明名称 |
MEMORIA CON CELULA DE MEMORIA EEPROM DE EFECTO CAPACITIVO Y PROCEDIMIENTO DE LECTURA DE UNA CELDA DE MEMORIA DE ESTE TIPO. |
摘要 |
EN UNA CELULA DE MEMORIA DE UNA MEMORIA EEPROM O FLASH-EEPROM, SE CONECTAN JUNTOS LA FUENTE Y EL DRENAJE DE UN TRANSISTOR DE REJILLA FLOTANTE FORMANDO EL DISPOSITIVO DE MEMORIZACION NO VOLATIL. SE MUESTRA QUE ENTONCES EL COMPORTAMIENTO CAPACITIVO DE LA CELULA SE DIFERENCIA EN EL MOMENTO DE LA LECTURA SEGUN ESTE EN UN ESTADO PROGRAMADO O BORRADO. ESTA DIFERENCIA DE COMPORTAMIENTO SIRVE PARA DIFERENCIAR LOS ESTADOS LOGICOS.
|
申请公布号 |
ES2127210(T3) |
申请公布日期 |
1999.04.16 |
申请号 |
ES19920401408T |
申请日期 |
1992.05.22 |
申请人 |
GEMPLUS |
发明人 |
KOWALSKI, JACEK |
分类号 |
G11C17/00;G11C16/02;G11C16/04;G11C17/04;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;H01L29/94;(IPC1-7):H01L29/94;H01L27/10 |
主分类号 |
G11C17/00 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|