发明名称 Verfahren zur Herstellung einer SOI-Struktur mit einem DRAM
摘要
申请公布号 DE69226687(T2) 申请公布日期 1999.04.15
申请号 DE1992626687T 申请日期 1992.10.13
申请人 SONY CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 OCHIAI, AKIHIKO, C/O SONY CORPORATION, SHINAGAWA-KU, TOKYO, JP;HASHIMOTO, MAKOTO, C/O SONY CORPORATION, SHINAGAWA-KU, TOKYO, JP;MATSUSHITA, TAKESHI, C/O SONY CORPORATION, SHINAGAWA-KU, TOKYO, JP;YAMAGISHI, MACHIO, C/O SONY CORPORATION, SHINAGAWA-KU, TOKYO, JP;SATO, HIROSHI, C/O SONY CORPORATION, SHINAGAWA-KU, TOKYO, JP;SHIMANOE, MUNEHARU, C/O SONY CORPORATION, SHINAGAWA-KU, TOKYO, JP
分类号 H01L21/28;H01L21/762;H01L21/8247;H01L21/84;(IPC1-7):H01L21/28;H01L21/76 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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