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发明名称 Auf Plasmaerzeugung basierendes Verfahren
摘要
申请公布号 DE68928944(D1) 申请公布日期 1999.04.15
申请号 DE1989628944 申请日期 1989.12.13
申请人 AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US 发明人 FLAMM, DANIEL LAWRENCE, WALNUT CREEK CALIFORNIA 94576, US;JOHNSON, WAYNE LEE, PHOENIX ARIZONA 85044, US;IBBOTSON, DALE EDWARD, WESTFIELD NEW JERSEY 07090, US
分类号 H01L21/302;H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/31;H05H1/18;H05H1/46;(IPC1-7):H01J37/32 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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