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发明名称 TRENCH ELEMENT ISOLATION METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
摘要
申请公布号 KR0183854(B1) 申请公布日期 1999.04.15
申请号 KR19960016259 申请日期 1996.05.15
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 LEE, HAN-SHIN;PARK, MOON-HAN;SHIN, YOO-KYUN
分类号 H01L21/76;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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