| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING A REDUNDANCY FUNCTION SUPPRESSIBLE OF LEAKAGE CURRENT FROM A DEFECTIVE MEMORY CELL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0180282(B1) |
申请公布日期 |
1999.04.15 |
| 申请号 |
KR19950055459 |
申请日期 |
1995.12.23 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI KK. |
发明人 |
TSUKUDE, MASAKI;ARIMOTO, KAZUTAMI |
| 分类号 |
G11C11/401;G11C29/00;G11C29/04;(IPC1-7):G11C29/00 |
主分类号 |
G11C11/401 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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