| 发明名称 |
METHOD OF FABRICATING LDD STRUCTURE OF MOS TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0182918(B1) |
申请公布日期 |
1999.04.15 |
| 申请号 |
KR19960016024 |
申请日期 |
1996.05.14 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
CHO, IN-WOOK |
| 分类号 |
H01L21/335;(IPC1-7):H01L21/335 |
主分类号 |
H01L21/335 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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