| 发明名称 | 利用相变来制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 在制造半导体器件过程中,形成有第一相结构的难熔金属硅化物层。在这情况下,在半导体衬底被加热的状态下,在进行难熔金属淀积操作期间,可形成有第一相结构难熔金属硅化物层。另一种办法是,首先在真空状态下淀积难熔金属膜,然后,在真空状态下加热半导体衬底,以便把难熔金属膜转变成有第一相结构的难熔金属硅化物层。此后,进行热处理,以便把有第一相结构的难熔金属硅化物层改变成有第二相结构的难熔金属硅化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1213846A | 申请公布日期 | 1999.04.14 |
| 申请号 | CN98121323.5 | 申请日期 | 1998.10.07 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 井上显 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴增勇;陈景峻 |
| 主权项 | 1．一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括下面的步骤：形成有第一相结构的难熔金属硅化物层；和进行热处理，以便把有所述第一相结构的所述难熔金属硅化物层改变成有第二相结构的难熔金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||