发明名称 穿心式薄膜电容器及其阵列
摘要 一种穿心式薄膜电容器及其阵列,其特征在于,该电容器通过结构为从陶瓷底板上的第一接地电极层开始,依次在前一部分上形成第一电介质层、信号电极(至少从第一电介质层一端面伸至另一端面地形成于部分第一电介质层上)、第二电介质层(与第一电介质层一起包围信号电极并形成于第一电介质层上)以及与第一接地电极层电气连接并一起包围第一和第二电介质层的第二接地电极层,从而去除干扰信号的性能优于以往的印刷电容器。
申请公布号 CN1042984C 申请公布日期 1999.04.14
申请号 CN94102681.7 申请日期 1994.03.04
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 山手万典;渡辺力;石桥洋一
分类号 H01G4/35 主分类号 H01G4/35
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 汪瑜
主权项 1.一种穿心式薄膜电容器,其特征是由下述部分构成:陶瓷底板(21)、上述陶瓷底板上所形成的第一接地电极层(22)、上述第一接地电极层(22)上所形成的第一电介质层(23)、至少从上述第一电介质层(23)的一端面至另一端面地于上述第一电介质层(23)一部分上所形成的信号电极(24)、与上述第一电介质层(23)一起包围上述信号电极(24)并于上述第一电介质层(23)上所形成的第二电介质层(25)、与上述第一接地电极层(22)一起包围上述第一电介质层(23)和上述第二电介质层(25)并于上述第二电介质层(25)上所形成的且与上述第一接地电极层(22)电气连接的第二接地电极层(26)。
地址 日本大阪府