| 发明名称 | 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法,所述半导体器件具有衬底、在该衬底上形成的包含n型氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层和p型氮化镓Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层的叠层结层,以及连接n型半导体层的第1电极和连接p型半导体层的第2电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1213863A | 申请公布日期 | 1999.04.14 |
| 申请号 | CN98118311.5 | 申请日期 | 1994.04.28 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1．一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法，其特征在于包括：提供具有第1及第2主面的衬底、及在该衬底第1主面上形成的具有包含n型氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层和p型氮化镓Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层的半导体叠层结构之氮化镓Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光器件；连接该p型半导体层形成金属材料层；以及为该金属材料提供退火，在使该金属材料层变成透光性之同时使之与p型半导体层形成欧姆接触、以此提供与该第2半导体层直接接触的透明欧姆电极。 | ||
| 地址 | 日本德岛县 | ||