光电元件及其制备方法

摘要

一种有多个pin结的光电元件,每个pin结由p型半导体层、i型半导体层、n型半导体层形成,每层包括Ⅳ族元素作主要成分的非单晶材料,光电元件的第一个pin结包括作i型半导体层的主要成分的微晶碳化硅(微晶SiC),第二个pin结包括作i型半导体层的主要成分的微晶硅,第一个pin结比第二个pin结更靠近光入射侧。由此提供的光电元件成本低、几乎无光退化、有高的光电转换效率,且其制备方法能以实用的淀积速率形成i型微晶硅和微晶SiC。

主权项

1．一种有多个pin结的光电元件，每个pin结由p型半导体层、i型半导体层、n型半导体层形成，每层包括Ⅳ族元素作主要成分的非单晶材料，光电元件的第一个pin结包括作i型半导体层的主要成分的微晶碳化硅(此后称为微晶SiC)，第二个pin结包括作i型半导体层的主要成分的微晶硅(此后称为微晶Si)，其中第一个pin结比第二个pin结更靠近光入射侧。