半导体衬底的处理方法和半导体衬底

摘要

本发明提供防止了来自衬底边缘部的尘粒的半导体衬底的处理方法和半导体衬底。对SOI衬底10的边缘部和下主面进行氧化形成氧化膜13。在该氧化工序中将在SOI衬底10的边缘部和下主面上露出的氧化膜11作为下敷氧化膜来使用,与LOCOS(硅的局部氧化)氧化同样地进行。因而,在SOI衬底10的边缘部和下主面上氧化膜13的厚度比氧化膜11厚。

主权项

1．一种半导体衬底的处理方法，该半导体衬底具有：一个主面、其相对一侧的另一个主面和侧面部，所述一个主面中规定形成有源区的中央部，规定包含所述中央部的周边区域和所述侧面部的边缘部，所述处理方法的特征在于包括：(a)形成第1氧化膜以便覆盖所述半导体衬底的所述中央部和所述边缘部的工序；(b)在所述中央部的所述第1氧化膜的上部有选择地形成耐氧化性膜的工序；以及(c)以所述耐氧化性膜为掩模，通过进一步氧化所述半导体衬底的边缘部，在所述边缘部上形成比所述第1氧化膜厚的第2氧化膜的工序。