发明名称 | 用于大直径晶片的空间均匀的气体供给源和泵结构 | ||
摘要 | 用于半导体处理室的气体分配板包括气体分配板,用于分配在处理室中待处理的半导体晶片表面上的气体。气体分配板有带气体排出孔的基本平面的部件,分配在半导体晶片表面的反应气体,气体排出装置包括在平面部件中限定的多个孔,多个孔在预定位置有不同的面积,调整腐蚀气体流。泵用于在晶片处理期间抽出在半导体晶片表面上产生的反应生成物气体。泵包括通过平面部件延伸的多个有孔管道,孔在预定的位置有不同面积,调整反应气体和反应生成物气体流。 | ||
申请公布号 | CN1213848A | 申请公布日期 | 1999.04.14 |
申请号 | CN98118718.8 | 申请日期 | 1998.08.27 |
申请人 | 西门子公司;国际商业机器公司 | 发明人 | 卡尔·P·马勒;伯特兰·弗利特纳;克劳斯·罗伊思纳 |
分类号 | H01L21/3065;H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/3065 |
代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
主权项 | 1.一种用于半导体处理室中的气体分配板,所述气体分配板用于分配在处理室中待处理的半导体晶片表面上的气体,它包括:基本为平面的部件,带有在整个半导体晶片表面上分配反应气体的气体排出孔装置,所述气体排出孔装置包括在所述平面部件上限定的多个孔,所述多个孔在预定位置有不同的面积,以调整腐蚀气体流;和泵装置,用于在晶片处理期间抽出在半导体晶片表面上产生的反应生成物气体,所述泵装置包括穿过所述平面部件延伸的多个管道,所述多个管道有孔,所述孔在预定位置有不同的面积,以调整反应气体和反应生成物气体流;其中,所述气体排出孔和所述泵装置同时作用,以便在晶片处理期间,在整个半导体晶片表面上基本维持反应气体的预定浓度和反应生成物气体的预定浓度。 | ||
地址 | 联邦德国慕尼黑 |