发明名称 | 制作用于形成光盘的母盘的方法 | ||
摘要 | 一种用于制作用来形成光盘的母盘的方法,包括步骤:在一基片上形成SiO<SUB>2</SUB>膜;在SiO<SUB>2</SUB>膜上涂覆第一光阻材料层;根据凹槽和槽脊的形状对第一光阻材料层进行曝光;对SiO<SUB>2</SUB>膜和第一光阻材料层进行蚀刻而在SiO<SUB>2</SUB>膜上形成凹槽结构凹进部和槽脊结构凸起部;在SiO<SUB>2</SUB>膜上涂膜第二光阻材料层以形成该凹槽和该槽脊;根据已记录预定信息的凹坑的形状,对该光阻材料层进行曝光;对该光阻材料层进行蚀刻以在该凹坑槽和该槽脊上形成凹坑。 | ||
申请公布号 | CN1213823A | 申请公布日期 | 1999.04.14 |
申请号 | CN98108495.8 | 申请日期 | 1998.05.14 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 卢明道;安荣万;朴昌民 |
分类号 | G11B7/26 | 主分类号 | G11B7/26 |
代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 马莹 |
主权项 | 1.一种用于制作用来形成光盘的母盘的方法,包括步骤:在一基片上形成SiO2膜;在该SiO2膜上涂覆第一光阻材料层;根据分别对应于凹槽和槽脊的凹槽结构凹进部和槽脊结构凸起部的构形,对该第一光阻材料层进行曝光;对该SiO2膜和该第一光阻材料层进行蚀刻,从而在该SiO2膜上形成该凹槽结构凹进部和该槽脊结构凸起部;在该SiO2膜上涂覆第二光阻材料层,从而形成该凹槽和该槽脊;根据在其上记录预定信息的凹坑的构形,对该第二光阻材料层进行曝光;以及对该第二光阻材料层进行蚀刻,从而在该凹槽和该槽脊上形成凹坑。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |