| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Leistungsbauelement mit erhöhter Latch-up-Festigkeit durch Unterdrücken eines parasitären Thyristors, mit einem eine Basiszone bildenden Halbleiterkörper (2) des einen Leitungstyps, in welchem eine weitere Basiszone (3) des anderen Leitungstyps vorgesehen ist. In diese weitere Basiszone (3) ist eine Ladungsträger-Rekombinationszone (8) aus Metall oder polykristallinem Silizium eingebettet, wobei zwischen der Ladungsträger-Rekombinationszone (8) und der Basiszone (2) eine hochdotierte Zone (9) des einen Leitungstyps vorgesehen ist. Unterhalb der weiteren Basiszone (3) kann noch eine Isolatorschicht (10) angeordnet sein.</p> |
