Verfahren zur Herstellung der Statischen Induktionstransistoren mit isoliertem Gatter in einer eingeschnitteten Stufe,申请号DE19873752215T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung der Statischen Induktionstransistoren mit isoliertem Gatter in einer eingeschnitteten Stufe
摘要
申请公布号	DE3752215(T2)	申请公布日期	1999.04.08
申请号	DE19873752215T	申请日期	1987.11.18
申请人	RESEARCH DEVELOPMENT CORP. OF JAPAN, TOKIO/TOKYO, JP;NISHIZAWA, JUNICHI, SENDAI, MIYAGI, JP;TAKEDA, NOBUO, SENDAI, MIYAGI, JP;SUZUKI, SOUBEI, SENDAI, MIYAGI, JP	发明人	NISHIZAWA, JUNICHI, SENDAI-SHI, MIYAGI-KEN, JP;TAKEDA, NOBUO, SENDAI-SHI, MIYAGI-KEN, JP;SUZUKI, SOUBEI, SENDAI-SHI, MIYAGI-KEN, JP
分类号	H01L21/32;H01L21/335;H01L21/60;H01L27/085;H01L29/772;(IPC1-7):H01L21/335;H01L29/76;H01L29/78;H01L21/28	主分类号	H01L21/32
代理机构		代理人
主权项
地址