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<p>Beschrieben ist ein Verfahren zur Ausbildung eines niederohmigen Leitbahnbereichs auf einem Substrat (1) eines Halbleitermaterials. Das Verfahren umfaßt das Ablagern einer Polysiliziumschicht (3) über dem Substrat, das Ablagern einer Silizidschicht (4) über der Polysiliziumschicht und das Tempern des gesamten Schichtaufbaus bei Temperaturen zwischen 600 °C und 1100 °C zur Silizierung des Schichtaufbaus. Das Verfahren kennzeichnet sich dadurch, daß nach der Ablagerung der Polysiliziumschicht und/oder nach der Ablagerung der Silizidschicht eine Si-Zwischenschicht (5) auf der Polysiliziumschicht (3) bzw. eine Si-Deckschicht (6) auf der Silizidschicht (4) abgeschieden wird.</p> |
