发明名称 | 晶粒尺寸封装电路板制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种晶粒尺寸封装电路板制造方法,主要是以一厚铜片作为基材,对上表面进行第一干膜的压合、曝光和显影的步骤,再在干膜的缺口处电镀形成电镀金/电镀铜/电镀金的三层式的电镀线路,然后为在表面进行覆盖聚酰亚胺膜作为保护,其次,再对铜基材底面进行第二干膜与蚀刻作业,以蚀刻去除该铜基材,最后对顶面的聚酰亚胺膜进行激光钻孔而形成植球孔及对位孔即可,整个制程中仅需两次干膜作业,达到简化作业流程的功效。 | ||
申请公布号 | CN1213265A | 申请公布日期 | 1999.04.07 |
申请号 | CN97119238.3 | 申请日期 | 1997.09.26 |
申请人 | 华通电脑股份有限公司 | 发明人 | 蔡维人 |
分类号 | H05K3/00 | 主分类号 | H05K3/00 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 章蔚强 |
主权项 | 1.一种晶粒尺寸封装电路板制造方法,其特征在于包括下列步骤:取用厚铜箔做为基材;对基材表面进行第一干膜的压合、曝光和显影,而利用显影的干膜定义出线路图案缺口;对线路图案缺口进行电镀方式填入多层电镀层;去除第一干膜;对上表面压合聚酰亚胺膜以作为保护;实施第二干膜的压合、曝光和显影,而仅对基材进行蚀刻去除以及蚀刻形成位在两侧的对位孔;及对表面的聚酰亚胺膜进行激光蚀刻,以使多层电镀层局部外露或形成贯通开口,由此形成一种可在底部粘着以及通过点焊或金线连接半导体晶粒的晶粒尺寸封装电路板。 | ||
地址 | 中国台湾 |