半导体激光器的制造方法

摘要

在自对准结构半导体激光器中分别在有源层25的两面设置一对光导层23和28,光导层的带隙比有源层25宽形成一对覆层22,29,能使有源层25和光导层23、28夹在其间,覆层的带隙比光导层23和28的宽;一对载流子阻断层24,26分别设置在有源层25和光导层23、28之间,载流子阻断层的带隙比有源层25和光导层23、28的带隙宽;使有带状窗口的电流阻断层27嵌入至少一个光导层23和28中,电流阻断层27通过选择生长而形成。

主权项

1．一种自对准结构的半导体激光器的制造方法，它包括：分别在有源层(25)的两面提供一对覆层(22,29)，覆层的带隙比有源层(25)的宽；使具有带状窗口的电流阻断层(27)嵌入在至少一个覆层中，其中电流阻断层通过选择生长而形成。